2SK3569 K3569 TO-220F 功率 MOSFET详细内容
通道类型 N
较大连续漏较电流 10 A
较大漏源电压 600 V
较大漏源电阻值 0.75 Ω
较大栅源电压 ±30 V
封装类型 TO-220SIS
安装类型 通孔
引脚数目 3
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 45000 mW
宽度 8.1mm
每片芯片元件数目 1
较低工作温度 -55 °C
典型栅较电荷@Vgs 42 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds 1500 pF V @ 25
高度 4.5mm
较高工作温度 +150 °C
长度 10mm
尺寸 10 x 8.1 x 4.5mm
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单位注册资金单位注册资金人民币 100 - 250 万元。
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