IRF9540N 100V 23A P沟道 功率MOS管

数据列表	IRF9540NPbF;
标准包装	50
包装 	管件 
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET?
规格
FET 类型	P 沟道
技术	MOSFET（Metal Oxide）
漏源较电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏较（Id）（25°C 时）	23A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（较大值）	117 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（较大值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅较电荷（Qg）	97nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1300pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（较大值）	140W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB