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FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N沟道增强型功率MOSFET

FQB5N90/FAIRCHILD	仙童/N沟道增强型功率MOSFET

FQB5N90概述
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。
这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,
并提供**的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
 
FQB5N90特性
5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(较大值)@VGS = 10 V,
ID = 2.7A栅较电荷低(典型值:31nC)
低 Crss(典型值13pF)
** 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

ydisic.cn.b2b168.com/m/

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