HGTG5N120BND产品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通(NPT)IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如:UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。 HGTG5N120BND产品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低饱和电压:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 5 A 典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns 短路额定值 低传导损耗